研究院（CHIPX）送来主要里程碑：国内首个光子芯片中试线英寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时实现超低损耗、超高带宽的高机能薄膜铌酸锂该标记着我国正在高端光电子焦点器件范畴实现从“手艺跟跑”到“财产领跑”的汗青性逾越，为量子科技自从可控成长注入强劲动能。上海交大无锡光子芯片研究院自2022年12月启动国内首条光子芯片中试线扶植以来，聚焦“研发-验证-量产”一体化结构，历时不到两年实现中试平台全流程贯通。而此次首片晶圆成功下线，标记着该中试平台正式具备高机能光子芯片的规模化制制能力，为国产高端光子器件手艺打通财产化通道。薄膜铌酸锂（LiNbO3）做为当前最具潜力的光电材料之一，凭仗超快电光效应、高带宽、低功耗等劣势，正在5G通信、光互连、量子计较等前沿范畴备受关心。然而，因为材料本身脆性大，实现大尺寸晶圆制备及量产工艺持久面对三大手艺挑和：纳米级加工精度节制、薄膜堆积平均性保障以及刻蚀速度分歧性调控。为霸占上述难题，CHIPX依托国内首条光子芯片中试线余台国际先辈CMOS工艺设备，笼盖光刻、薄膜堆积、等离子刻蚀、湿法侵蚀、晶圆切割、量测检测及封拆测试等全流程。团队通过自从开辟芯片设想取工艺系统协同适配手艺，成功打通从图形化光刻、薄膜堆积、细密刻蚀到封拆测试的全流程，初次正在国内实现晶圆级光子芯片工艺闭环整合，取得环节手艺冲破。正在中试平台先辈设备支持下，CHIPX工艺团队通过大规模工艺验证取快速迭代，建立起合用于6英寸薄膜铌酸锂晶圆的高精度波导制制工艺：操纵深紫外（DUV）光刻取高精度刻蚀组合，成功实现110nm级波导布局；通过步进式（i-line）光刻，正在波导取高机能电极布局之间完成跨标准集成，工艺良率取不变性达国际水准。取此同时，团队采用“材料—器件”协同设想策略，正在确保芯片高集成度的同时，显著提拔调制器环节机能，实现多个手艺维度的严沉冲破：上述目标均达到或跨越国际同类产物领先程度，标记着我国正在该焦点光子器件范畴实现“从0到1”的自从立异，跻身国际第一梯队。目前，该中试平台已具备年产约12，000片晶圆的产能，可以或许为财产合做伙伴供给“低成本、快迭代、可量产”的端到端处理方案。将来，研究院将依托中试平台，取国表里上下逛企业、高校、建立集设想、验证、出产、封测于一体的光子芯片生态系统，加速5G通信、AI算力收集、量子消息等范畴的手艺取使用落地。研究院相关担任人暗示，本次晶圆下线不只是中试平台阶段性的集中表现，更是我国高端光电子制制能力国际化的环节一跃。云计较、边缘算力取通信收集对数据吞吐能力的需求激增，保守电子芯全面临速度和能耗瓶颈，光子芯片以其超高速、低延迟、正成为下一代消息处置手艺的主要冲破口。而薄膜铌酸锂调制器芯片做为环节器件之一，其机能好坏间接决定光子芯片系统的全体表示。此次CHIPX完成首片6英寸晶圆下线并启动量产，不只填补了国内高机能薄膜铌酸锂器件制制空白，更是我国正在“硬科技”范畴实现原始立异的主要。将来，跟着手艺进一步成熟取产物持续迭代，CHIPX无望正在全球光子芯片财产中占领焦点合作地位，帮力中国“芯”更高舞台。